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半导体场效晶体管、包含其的功率放大器以及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-09-16 发布于四川
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半导体场效晶体管、包含其的功率放大器以及其制造方法.pdf

    一种半导体场效晶体管、包含其的功率放大器以及其制造方法，其在通道层内靠近二维电子气区域边界的位置设置一n型掺杂层；所述n型掺杂层用于改变晶体管中电子浓度在空间中的分布，并改善整体元件的射频线性度；通过能透过电荷的调节而控制阈值电压，更得以降低接触及串联电阻。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116759437 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310213031.4 H01L 29/772 (2006.01)

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