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- 2023-09-17 发布于广东
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半导体材料重要特性是对光、热、力、磁、气体、温度等理化量的敏感 性。近代半导体技术利用这些特性,作为非电量电测的转换元件。 特点:(1)是一些物性型传感器;(2)结构简单,体积小,重量轻; (3)功耗低,安全可靠,寿命长;(4)对被测量敏感,响应快; (5)易于实现集成化;(6)输出一般为非线性,常采用线性化电路; (7)温度影响大,需要温度补偿措施;(8)性能参数分散性较大。 一.磁敏传感器 分类:(1)霍尔元件 (2)磁阻元件 (3)磁敏管 (一)霍尔元件 霍尔元件——种半导体磁电转换元件。一般由锗(Ge)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等半导体材料制成。它利用霍尔效应进行工作。如图3-38所示,将霍尔元件置于磁场 B 中,如果在 a, b 端通以电流 i 在 c, d 两端就会出现电位差,称为霍尔电势 VH,此现象叫霍尔效应。 第八节 半导体传感器 * 第六十二页,共一百零八页,2022年,8月28日 B i i a d c b i VH a) B d b c a i N型 v FE FL 电子受 力方向 b) 图3-38 霍尔元件及霍尔效应原理 a) 霍尔元件 b) 霍尔效应原理 假定把N型半导体薄片放在磁场中,通固定电流i ,半导体中载流子(电子) 将沿着与电流方向相反方向运动。从物理学知,任何带电质点在磁场中沿着 和磁力线垂直的方
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