一种圆角顶角的多晶硅刻蚀方法.pdfVIP

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2023-09-16 发布于四川
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一种圆角顶角的多晶硅刻蚀方法.pdf

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本发明涉及半导体制造技术领域，且公开了一种圆角顶角的多晶硅刻蚀方法，如下步骤：S1、在外延片表面生长一层多晶硅；S2、涂光刻胶光刻，形成图形；S3、刻蚀所述多晶硅，去除所述光刻胶；S4、沉积介质；S5、各向异性整面刻蚀所述介质，形成侧墙；S6、利用带subtrench刻蚀缺陷的刻蚀方法刻蚀所述多晶硅；S7、去除氧化层侧墙，获得圆角顶角多晶硅；S8、淀积氧化层，所述介质为氧化硅材料，本发明中刻蚀方法相对简单，不需要重复光刻，可以将顶角变为圆角，避免电场集中问题，提高器件可靠性，方法工艺的许容性大，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116759307 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310982033.X (22)申请日 2023.08.07 (71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司地