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- 2023-09-16 发布于四川
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本发明提出了一种可快速换样的离子阱芯片系统,包括真空腔,所述真空腔内固定设置有芯片安装座,可插拔设置于所述芯片安装座上的插拔芯片座,以及,固定设置于所述插拔芯片座上的离子阱芯片;所述芯片安装座、所述插拔芯片座上均设置有分别设置于离子囚禁电场轴向两端的射频电极端子和直流电极端子,所述离子阱芯片位于所述插拔芯片座上的所述射频电极端子和所述直流电极端子之间,其中,所述芯片安装座上的所述射频电极端子设置于谐振腔线路引入位置的正上方。本发明的离子阱芯片系统通过缩短射频电极端子与谐振腔的信号传输距离,减少了
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116759288 A
(43)申请公布日 2023.09.15
(21)申请号 202310776488.6
(22)申请日 2023.06.28
(71)申请人 国仪量子(合肥)技术有限公司
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