一种发光二极管.pdfVIP

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2023-09-16 发布于四川
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本申请提供一种发光二极管。该发光二极管包括：衬底；设置于衬底表面的外延结构，外延结构沿远离衬底方向依次为第一半导体层，活性层以及第二半导体层；第一电极，设置于第一半导体层。第二电极，设置于第二半导体层；第一沟槽，设置于第二半导体层远离衬底的表面，并且，所述第一沟槽从第二半导体层远离衬底一侧的表面开始，贯穿活性层，延伸至第一半导体层的一部分。本发明中，沟槽的设置有利于电流的均匀分布，从而提高芯片发光亮度，以及提高可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116759506 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310802196.5 (22)申请日 2023.07.03 (71)申请人天津三安光电有限公司地址 30