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为了抑制由于充电损伤导致的晶体管特性的变化，以减少为避免充电损伤所需的设计限制，并提高增加半导体集成度的设计的自由度。半导体装置包括：垂直电极，其形成在垂直孔中，所述垂直孔从开口部分沿基座的厚度方向向待连接部分延伸，且具有阻挡金属膜和导电材料从靠近暴露于垂直孔的绝缘膜的一侧依次堆叠的结构；以及低电阻膜，其被设置为位于除了待连接部分附近之外的阻挡金属膜与第一绝缘膜之间，且具有比绝缘膜的电阻值低的电阻值。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110088883 A
(43)申请公布日
2019.08.02
(21)申请号 201780
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