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- 2023-09-16 发布于四川
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本发明涉及一种高可靠性IGBT模块的封装结构及加工工艺，其结构包括上表面图形化生长二维层状六方氮化硼的直接敷铜基板、IGBT芯片、快速恢复二极管芯片、底板、焊料层、键合引线、母线、塑料外壳以及二维层状六方氮化硼填充增强灌封硅胶。其中采用化学气相沉积法在直接敷铜基板上表面图形化生长二维层状六方氮化硼薄膜，通过发挥其优异的面内热传导性能，将大功率IGBT模块的局部热点热量迅速横向传开，进而通过直接敷铜基板向外传导，降低模块最高温度，同时采用二维层状六方氮化硼增强硅胶进行灌封，改善传统硅胶的热传导性能
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108461484 A
(43)申请公布日
2018.08.28
(21)申请号 20181
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