IGBT关断时刻的应力波测量优化及影响因素分析.pdfVIP

IGBT关断时刻的应力波测量优化及影响因素分析.pdf

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2022 年 11 月 电 工 技 术 学 报 Vol.37 No. 21 第 37 卷第 21 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Nov. 2022 DOI:10.19595/ki.1000-6753.tces.211249 IGBT 关断时刻的应力波测量优化及 影响因素分析 1 1 1 1 2 耿学锋 何赟泽 王广鑫 刘松源 李运甲 (1. 湖南大学电气与信息工程学院 长沙 410082 2. 电力设备电气绝缘国家重点实验室(西安交通大学) 西安 710049 ) 摘要 绝缘栅极双极型晶体管(IGBT )是电能变换的核心器件,其健康状态与系统的可靠运 行直接相关。声发射(AE )是一种快速、无损、在线的检测方法,广泛应用于电力行业,在IGBT 的状态评估中具有潜在的应用价值。已有的研究表明:IGBT 在关断瞬间能够产生应力波(SW ), 且 AE 传感器能够对应力波信号进行测量,但在测量时容易受到周围电场的干扰。该文分析了普 通 AE 传感器干扰信号产生的原因,提出基于差分式 AE 传感器的应力波测量方法,并从理论角 度论证了差分式 AE 传感器的抗干扰机理。搭建试验平台,通过试验证明差分式 AE 传感器具有 较好的抗电气干扰能力,能够对 IGBT 关断应力波进行有效地提取。进一步地,对不同关断电流 条件下的 IGBT 进行应力波的测量和分析,发现关断电流与应力波的强度强相关,可为后续探索 应力波产生机理及实现IGBT 在线监测提供参考。 关键词:声发射 IGBT 关断 应力波 干扰抑制 中图分类号:TM930 Measurement Optimization and Analysis of Influencing Factors of IGBT’s Turn-off Stress Wave Geng Xuefeng1 He Yunze 1 Wang Guangxin 1 Liu Songyuan 1 Li Yunjia2 (1. College of Electrical and Information Engineering Hunan University Changsha 410082 China 2. State Key Laboratory of Electrical Insulation for Power Equipment Xi’an Jiaotong University Xi’an 710049 China ) Abstract Insulated gate bipolar transistor (IGBT) is the key component of power conversion, and its health state is directly related to the safe operation of the system. Acoustic emission (AE) is a fast, non-destructive and on-line detection method, which is widely used in power industry, and has potential application value in the condition evaluation of IGBT. It is reported that IGBT can generate the stress wave (SW) at the moment of

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