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- 2023-09-17 发布于四川
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本实用新型涉及滤波器芯片技术领域,尤其是一种射频声表面波滤波器芯片,包括由压电单晶箔和衬底构成的复合基片、在压电单晶箔表面制作的射频声表面波滤波器金属图形结构,射频声表面波滤波器金属图形结构由周期电极部分、内部连接电极和输入输出电极组成,复合基片上至少设置有一个背坑,背坑的位置对应于射频声表面波滤波器金属图形结构中的一个周期电极部分,压电单晶箔对应于背坑处的厚度为器件有源区压电层厚度设计值,背坑内设置有与压电单晶箔相连的多层介质膜,射频声表面波滤波器金属图形结构表面覆盖有多层介质层,本实用新型的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210444234 U
(45)授权公告日
2020.05.01
(21)申请号 20192
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