半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 编制说明.docx

《半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射 X 射线荧光光谱法》 （征求意见稿）编制说明 一 工作简况 1. 立项目的和意义 集成电路和光伏产业是信息技术产业的核心，是国家重要的基础性、先导性和战略性产 业，是推动国民经济和信息化发展最主要的高新技术。近 10 年来，我国的集成电路和光伏产 业发展迅猛，核心工艺技术水平和世界先进水平的差距不断缩小。 半导体晶片是信息技术产业中半导体制造业的基础材料，在加工使用过程中的金属杂质控 制与检测是关乎产品性能的重要手段与指标。在工艺生产过程中晶片表面极其少量的金属污 染的存在都有可能导致器件功能失效或可靠性变差，因此在制造生产过程中对晶片表面金属 杂质污染的控制尤为重要，检测规范非常严格。 目前，在半导体行业晶片表面金属沾污的检测方法很多。化学分析电子能谱法、俄歇电子 能谱法、二次离子质谱法、电感耦合等离子体质谱法、气相分解原子吸收光谱法等等。化学 分析电子能谱法，其元素的表面面密度检测限为 1013 atoms/cm2 ；俄歇电子能谱法其元素的表 面面密度检测限为 102 atoms/cm2 ，二次离子质谱法对原子序数在 22~30 的钛和锌之间的过渡 元素不能提供足够的检测极限，辉光放电质谱通常只能做半定量分析，且对于半导体材料的 金属沾污而言，检出限不够。上述这些方法绝大多数是破坏性的，并且存在检测限不够低， 对于一些特定的元素不能检