半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 征求意见稿.docxVIP

1 GB/T 24578—202X 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射 X 射线荧光光谱法 1 范围 本文件描述了半导体抛光晶片表面深度约为5 nm以内金属元素的全反射X光荧光光谱测试方法。 本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅（SOI）、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶抛 光片表面金属沾污的测定。尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面 密度的测定。 本文件可检测元素周期表中原子序数 16（S）～92（U）的元素，尤其适用于钾、钙、钛、铬、锰、 铁、钴、镍、铜、锌等金属元素，且面密度在 109 atoms/cm2 ～1015 atoms/cm2 范围内元素的定量测试。 注：测试范围在一定条件下可以扩展到原子序数 11（Na）～92（U）的元素，取决于测试设备提供的 X 射线源。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 8979 纯氮、高纯氮和超纯氮 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 25915.1-2021 洁净室及相关受控环境 第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度 3 术语和定义 GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 全反射 total re