P掺杂Si晶体能带结构的第一性原理计算.docVIP

P掺杂Si晶体能带结构的第一性原理计算 摘要 Si在目前半导体材料中应用最为广泛，本文使用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算，对P掺杂Si晶体的电子结构，包括能量，能带结构，能带密度进行研究，将有助于更好的了解硅的晶体结构。采用Materials Studio软件构建硅的晶体结构，利用CASTEP模块计算所搭建晶体超胞的能带和能态密度，在完整晶体计算的基础上引入点缺陷，进一步计算缺陷晶体的能带结构和能态密度，分析比较完整晶体和缺陷晶体能带结构和能态密度的不同，从而进一步了解周期性晶体结构材料的电子结构，进一步了解半导体材料带隙的起源以及掺杂可能带来的带隙改变。 计算结果表明:Si晶体的