溶胶-凝胶法制备Sn掺杂和AlF-Sn共掺杂ZnO基透明导电膜的研究的中期报告.docxVIP

溶胶-凝胶法制备Sn掺杂和AlF-Sn共掺杂ZnO基透明导电膜的研究的中期报告 本次研究使用溶胶-凝胶法制备了Sn掺杂和AlF-Sn共掺杂的ZnO基透明导电膜，并进行了初步的性能测试和分析。 首先，我们制备了不同掺杂浓度的ZnO溶胶，分别为10mol% Sn掺杂和10mol% AlF-Sn共掺杂。通过SEM观察，我们发现掺杂后的ZnO颗粒尺寸变小，呈现出更加均匀的形貌。此外，我们还使用XRD测试了掺杂后的ZnO薄膜晶体结构，发现掺杂并未改变ZnO的晶体结构。 接着，我们对Sn掺杂和AlF-Sn共掺杂的ZnO薄膜进行了光电性能测试。通过UV-Vis分析，我们发现掺杂后的ZnO膜呈现出更高的透过率，并且呈现出典型的n型半导体特性，证实了掺杂的成功。在光电学测试中，我们发现10mol% Sn掺杂的ZnO膜的电学性能最优，其电阻率达到了2.42×10-2 Ω·cm，透过率为87.32%。而在AlF-Sn共掺杂的样品中，10mol% AlF-10mol% Sn共掺杂的ZnO膜电学性能最优，电阻率为3.33×10-2 Ω·cm，透过率为83.45%。这表明，在一定的掺杂浓度下，Sn和AlF-Sn共掺杂可以明显提高ZnO膜的导电性能。 综上，我们成功制备了Sn掺杂和AlF-Sn共掺杂的ZnO基透明导电膜，并对其进行了初步的性能测试和分析，结果表明掺杂可以显著提高ZnO膜的导电性能。下一步，我们将进一步研究掺杂浓度对电学性能的影响，并优化制备工艺，以进一步提高薄膜的性能和应用价值。