半导体工艺高等教育大学.pdfVIP

晶圆清洗 1 前言 半导体 IC 制程主要以 20 世纪 50 年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、 扩散、 外延生长及光刻） 为基础逐渐发展起来， 由于集成电路内各元件及连线相 当微细，因此制 造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路 功能的损坏，形成短路或断 路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。 因此在制作过程中除了要排除外界的 污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、 离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工 作。 干、湿法清洗工作是在不破 坏晶圆表面特性及电特性 的前提下 ， 有效地使用化学溶液 或气体清除残留在晶圆 上之微尘、金属离子及有机物之杂质 。 2 污染物杂质的分类 IC 制程中需要一些有机物和无机物参与完成，另外，制作过程总是在人 的 参与下在净 化室 中进行，这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发 生。根据污染物发生的情 况 ，大致可将污染物分为颗粒、有机物 、金属污染物及 氧化物。 2.1 颗粒, @/ e ~, I/ |# C$ R 颗粒主要是一些聚合物