材料合成与制备.pptVIP

王 峰 鲁东大学化学与材料科学学院 ;第一章 单晶材料的制备 第二章 非晶态材料的制备 第三章 薄膜的制备 第四章 功能陶瓷的合成与制备 第五章 结构陶瓷的制备;1; 从显微学上来看单晶，多晶。单晶与多晶，一个晶粒就是单晶，多个晶粒就是多晶，没有晶粒就是非晶。单晶只有一套衍射斑点；多晶的话，取向不同会表现几套斑点，标定的时候，一套一套来，当然有可能有的斑点重合，通过多晶衍射的标定可以知道晶粒或者两相之间取向关系。如果晶粒太小，可能会出现多晶衍射环。非晶 衍射是非晶衍射环，这个环均匀连续，与多晶衍射环有区别。;鸽血红（纯红色）红宝石 粉红色红宝石 蓝色蓝宝石 黄色蓝宝石 绿色蓝宝石 紫色蓝宝石 帕德马蓝宝石 变色蓝宝石 ;１.１　固相-固相平衡的晶体生长;１.１　固相-固相平衡的晶体生长; 用应变退火方法生长单晶，通常是通过塑性变形，然后在适当的条件下加热等温退火，温度变化不能剧烈，结果使晶粒尺寸增大。 ; 冷变形后材料经重新加热进行退火之后，其组织和性能会发生变化。观察在不同加热温度下变化的特点可将退火过程分为回复、再结晶和晶粒长大三个阶段。; 经塑性变形后，材料承受了大量的应变，因而储存大量的应变能。在产生应变时，发生的自由能变化近似等于做功减去释放的热量。该能量通常就是应变退火再结晶的主要推动力。 ;应变退火再结晶的推动力由下式给出： ;2. 晶粒长大;再结晶后的晶粒长大;晶粒的正常长大（即均匀长大）;晶粒的正常长大（即均匀长大）;晶粒的正常长大（即均匀长大）;晶粒的正常长大（即均匀长大）;（不均匀长大，或称为二次再结晶）;晶粒的异常长大;钉扎晶界的第二相溶于基体； 再结晶织构中位向一致的晶粒合并； 大晶粒吞并小晶粒。;1.1.2 应变退火及工艺设备;（1）铸造件 ;（2）锻造件 ;（3）滚扎件 ; 在应变退火中，通常在一系列试样上改变应变量，以便找到退火期间引起一个或多个晶粒生长所必须的最佳应变或临界应变。;2、应变退火法生长晶体 ; 烧结过程中晶粒长大的推动力主要是由残余应变、反向应变和晶粒维度效应等因素影响。 ;作 业;１.2 液相-固相平衡的晶体生长;（1）过冷：金属的实际结晶温度总是低于其理论结晶温度的现象。 （2）过冷度：金属材料的理论结晶温度(Tm) 与其实际结晶温度To之差 △T=Tm-To 注：过冷是结晶的必要条件，结晶过程总是在一定的过冷度下进行。 ;定向凝固法 提拉法 区域熔化技术 水溶液生长法;1.2.1 定向凝固法（坩埚下降法）; B-S方法的构思是在一个温度梯度场内生长结晶，在单一固-液界面上成核。待结晶的材料通常放在一个圆柱形的坩埚内，使坩埚下降通过一个温度梯度，或使加热器沿坩埚上升。 ;定向凝固技术制备装置;定向凝固技术的设备：; 晶体各向异性决定了晶体不同取向的晶体生长速率不同，生长过程中必然形成晶体的竞争生长。;几何淘汰规律图解; 晶体生长选晶示意图;Cu; 为造成上、下炉之间有较大的温度梯度，上下两炉一般分别独立控温，还可以在上、下炉之间加一块散热板。; 在利用定向凝固法制备单晶材料时，一般采用较大的温度梯度这样就有较快的生长速度。; 低温区的温度降得很低，生长的晶体在短短的距离内会经受很大的温差，由此会造成比较大的热应力。若坩埚的膨胀系数比晶体大，冷却时坩埚的收缩也比晶体大，坩埚就要挤压晶体，使晶体产生比较大的压应力，低温区温度越低，这种压应力就越大甚至引起晶体炸裂。 ;理想的轴向温度分布应满足以下几点要求： ;定向凝固（下降法）生长晶体的优点： ;缺点：;1、 传统定向凝固技术; 将铸型预热到一定温度后迅速放到激冷板上并立即进行浇注，冒口上方覆盖发热剂，激冷板下方喷水冷却，从而在金属液和已凝固金属中建立起一个自下而上的温度梯度，实现定向凝固。 ;（2）功率降低法（PD法）;（3）快速凝固法（HRS）;（4）液态金属冷却法（LMC法）;2、单晶高温合金的生长;转折型 螺旋型 倾斜型 尺度限制型 (缩颈选晶器);定向凝固;3、定向凝固技术的适用范围; 柱状晶包括柱状树枝晶和胞状柱晶。通常采用定向凝固工艺，使晶体有控制的向着与热流方向相反的方向生长。共晶体取向为特定位向，并且大部分柱晶贯穿整个铸件。这种柱晶组织大量用于高温合金和磁性合金的铸件上。 ;获得定向凝固柱状晶的基本条件是：; 晶体生长的研究内容之一是制备成分准确，尽可能无杂质，无缺陷（包括晶体缺陷）的