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IC载板的无掩模光刻的实验研究 摘要 基于摩尔定律的情况下，集成电路快速发展，相应的制造工艺也要求的越来越高，要求的加工的精密度更高。光刻技术从最开始光源波长为436纳米发展到现在的22纳米，从最开始的高成本掩模光刻到现在高速率、低成本的无掩模光刻。具有高精密度的激光光刻技术在如今的集成电路加工中占的无比重要的地位。 芯片是集成电路的直接表现，IC载板在不断地小型化、更小型化。当下，激光光刻为IC载板制造提供了精密的制造工艺。本课题主要研究激光无掩模光刻以及它用于IC载板的制造。 本文通过研究传统激光光刻和基于DMD无掩模光刻优缺点来展现激光光刻的发展和进步，还介绍了无掩模光刻中重要