常用半导体器件课件.pptxVIP

常用半导体器件; 本征半导体中的两种载流子;四、本征半导体中载流子的浓度;1.1.2 杂质半导体 一、N型半导体;二、P型半导体;1.1.3 PN结 一、 PN结的形成;二、PN结的单向导电性;2、外加反向电压时PN 处于截止状态 PN结处于反向偏置状 态。外电场使空间电荷区 变宽，加强了内电场，阻 止扩散运动的进行，加剧 漂移运动的进行，形成反 向电流，也称为漂移电流。 因为少子的数目极少，即 使都参与漂移，反向电流 也非常小，认为PN结处于 截止状态。 ;三、PN结的电流方程;四、PN结的伏安特性;五、PN结的电容效应 1、势垒电容 耗尽层的宽窄随外加电压的变化而变化，这相 当于电容的充、放电，其所等效的电容称为势垒电 容Cb。见图1.1.11所示。;;见图1.1.12所示。;1.2 半导体二极管;1.2.2 二极管的伏安特性 一、二极管和PN结伏安特性的区别 由于存在半导体体电阻和引线电阻，在电流相同的情况下，二极管的端电压比PN结上的压降大。如图1.2.3所示。使二极管开始导通的临界电压称为开启电压Uon。;二、温度对二极管特性的影响 如图1.2.3虚线所示，在温度升高时，二极管的正向 特性曲线将左移，在室温附近，温度每升高1 ， 正向压降减小2～2.5mV;温度每升高10 ,反向电流 约增大一倍。;1.2.4 二极管的等效电路 二极管是非线性器件，在一定条件下用线性元件构成 的电路来近似模拟二极管的特性，并取代二极管，称 为等效电路或等效模型。 一、伏安特性折线化等效电路;图（a）表明二极管导通时正向压降为零，截止时 反向电流为零，称为“理想二极管”。 图（b）表明二极管导通时正向压降为一个常量Uon ， 截止时反向电流为零，等效电路为理想二极管串联 电压源Uon。 图（c）表明当二极管正向电压大于Uon后其电流i和 电压u成线性关系，直线斜率为1/rD。二极管截止时 反向电流为零。等效电路为理想二极管串联电压源 Uon和电阻rD，且rD=△U/△I。 ;;1.2.5 稳压二极管 一、稳压二极管的伏安特性 ;二、二极管的主要参数 1、稳定电压UZ:在规定电流下稳压管的反向击穿 电压。 2、稳定电流IZ(Izmin)：稳压管保证稳压效果的最小 电???。 3、额定功耗PZM：稳压管的稳定电压UZ和最大稳定 电流IZM(Izmax)的乘积。可以通过PZM求出IZM的值。 4、动态电阻rZ：稳压管在稳压区内，端电压变化量 △UZ与其电流变化量△IZ 之比，即△UZ / △IZ 。 rZ愈小则稳压特性愈好。 rZ的值一般是几欧到 几十欧。 5、温度系数α：温度每变化1oC稳压值的变化量。 ;例1.2.2 在图1.2.11所示稳压管稳压电路中，已知 稳压管的稳压值UZ=6V，最小稳定电流 IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=25mA； 负载电阻R=600Ω。求解限流电阻R的取值范围。;1.2.6 其它类型二极管 一、发光二极管;二、光电二极管 ; 图1.2.14（a）为光电二极管的伏安特性。在无光 照时，与普通二极管一样，具有单向导电性。反向电 流称为暗电流，通常小于0.2μA。; 在有光照时，特性曲线下移，它们分布在第三、 四象限内。在反向电压的一定范围内，即第三象限， 特性曲线是一组横轴的平行线，光电流受入射光照 度的控制。照度一定时，光电二极管等效为恒流源。 照度愈大，光电流愈大。在光电流大于几十微安时， 与照度成线性关系。此特性广泛用于遥控、报警及 光电传感器之中。 在第四象限时呈光电池特性，如图（d）表示， 入射照度愈大，i愈大，R上获得的能量也愈大，此 时光电二极管作为微型光电池。 由于光电流较小，所以将其用于测量及控制等电 路中时，需首先进行放大和处理。 除此之外，还有利用PN结势垒电容制成的变容 二极管，可用于电子调谐、频率的自动控制、调频 调幅、调相和滤波等电路之中。; 利用高掺杂材料形成PN结的隧道效应制成的隧 道二极管，可用于振荡、过载保护、脉冲数字电路 之中。 利用金属与半导体之间的接触势垒而制成的肖特 基二极管，正向导通电压小，结电容小，常用于微波 混频、检测、集成化数字电路等场合。;;;; 图1.3.3所示为基本放大电路，△uI为输入电压信号，它接入基极—发射极回路（输入回路）；放大后的信号在集电极—发射极回路（输出回路）。发射极是两个回路的公