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双向可控硅好坏检测方法 双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称 TRIAC 即三端双向交流开关之意。 双向可控硅的检测 方法一： 测量极间电阻法。将万用表置于皮 R×1k 档，如果测得 T2－T1、T2－G 之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于 R×10 档测得 T1－G 之间的正反向电阻在几十欧姆 时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得 T2－T1，、 T2－G 之间的正反向电阻较小甚或等于零．而 Tl－G 之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得T1－G 之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制极 G 与主电极 T1 之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。 方法二： 检查触发导通能力。万用表置于 R×10 档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极 T2，红表笔接T1，即给T2 加正向电压，再用短路线将G 与 T1(或 T2) 短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分(其中一个单向可控硅)是好的，如图 1(b)所示，改黑表笔接主电极 T1，红表笔接T2，即给T1 加正向电压，再用短路线将G 与 T1(或 T2) 短接一下后离开，如果结果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其中的一个单向可控硅是好的。测试到止说明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。 图 1 判断双向可控硅的触发导通能力 方法三： 检查触发导通能力。如图 2 所示．取一只 10uF 左右的电解电容器，将万用表置于 R×10k 档(V 电压)，对电解电容器充电 3~5s 后用来代替图 1 中的短路线，即利用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10 档， 照图 2(b)连接好后进行测试。测试时，电容 C 的极性可任意连接，同样是碰触 一下后离开，观察表头指针偏转情况，如果测试结果与“方法二’相同，就证明双向可控硅是好的。 图 2 判断双向可控硅的触发导通能力 应用此法判断双向可控硅的触发导通能力更为可靠。由于电解电容器上充的电压较高，使触发信号增大，更利于判断大功率双向可控硅的触发能力。 双向可控硅参数符号 IT(AV)--通态平均电流VRRM--反向反复峰值电压IDRM--断态重复峰值电流 ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流VTM--通态峰值电压 IGT--门极触发电流VGT--门极触发电压IH--维持电流 dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率Rthjc--结壳热阻 VISO--模块绝缘电压Tjm--额定结温 VDRM--通态反复峰值电压IRRM--反向重复峰值电流IF(AV)--正向平均电流