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本申请公开了一种改善炉管机台内晶圆间磷浓度均匀性的工艺,包括:提供一炉管机台,所述炉管机台的反应腔体内进入有放置有晶圆的晶舟,所述炉管机台的反应腔体内设置有侧面气管和顶部气管;在对所述晶圆进行多晶硅层掺杂工艺的过程中,通过所述侧面气管向所述晶舟吹出第一混合气体,并通过所述顶部气管向所述晶舟吹出第二混合气体;其中,所述第一混合气体包括工艺气体和载流气体,所述载流气体为氮气。本申请通过上述方案,能够改善晶圆间的磷浓度均匀性和晶圆间的电阻率均匀性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779430 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310889579.0
(22)申请日 2023.07.19
(71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
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