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本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种反极性LED芯片及其制作方法。本申请的反极性LED芯片从上至下包括：N面电极、N型半导体层、MQW发光层、P型半导体层、P型窗口层、介质膜缓冲层、镜面金属层、第一键合金属层、第二键合金属层、Si衬底和背面电极；其中，P型窗口层包括GaP基层和图案化表层，GaP基层紧邻P型半导体层设置，介质膜缓冲层包括从上至下依次交替设置的二氧化硅层和二氧化钛层；利用此发明制作的LED芯片，可保证性能稳定，提升LED发光效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779745 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202311054379.X
(22)申请日 2023.08.22
(71)申请人 南昌凯捷半导体科技有限公司
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