光电探测结构及光电集成芯片.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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光电探测结构及光电集成芯片.pdf

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本申请公开了一种光电探测结构及光电集成芯片，其旨在通过在波导层的硅基部分内设置第一掺杂体和第二掺杂体以实现光电转换，其中，第一掺杂体包括多个第一指状电极，第二掺杂体包括多个第二指状电极，并且多个第一指状电极和多个第二指状电极以梳齿状互插的形式间隔排布，以构成波导区域，锗层位于波导区域之上并且与多个第一指状电极以及与多个第二指状电极接触，以有效提取出流入锗层内部的光电流，从而使得光电探测结构具有较高的灵敏度和响应度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116779695 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202210230747.0 (22)申请日 2022.03.10 (71)申请人苏州湃矽科技有限公司地址 21