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本发明公开了一种半导体结构的制作方法,属于半导体技术领域。所述制作方法包括:提供一衬底;在所述衬底上形成结构层;在所述衬底远离所述结构层一侧的表面上形成牺牲氧化层;刻蚀部分所述牺牲氧化层和部分所述衬底,形成深沟槽;界面修复处理所述深沟槽,并去除所述牺牲氧化层;在所述衬底以及所述深沟槽的底部和侧壁上形成第一介质层;在所述第一介质层上形成第二介质层;以及在所述第二介质层上沉积绝缘介质。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法,能够降低包括半导体结构的半导体器件的暗电流,提高半导体器件的性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779544 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202311061699.8
(22)申请日 2023.08.23
(71)申请人 合肥晶合集成电路股份有限公司
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