LS波段高效大功率RF LDMOS研发的中期报告.docx

LS波段高效大功率RF LDMOS研发的中期报告 该中期报告是LS波段高效大功率RF LDMOS研发的阶段性进展报告，主要包括以下内容： 1. 研究目标及背景 本次研发的目标是在LS波段范围内，开发出高效大功率的射频LDMOS器件，以满足卫星通信、雷达等高频应用领域对功率和效率的要求。 2. 研究内容及方法 本次研发采用的方法是基于硅材料的LDMOS技术，在LS波段频段中针对不同的频率范围和功率需求，设计和优化多个器件结构，包括应变SOI-LDMOS、double-recessed SOI-LDMOS、SiC-DE LDMOS等类型。 3. 研究进展和成果 在研发过程中，通过对各种器件结构的模拟和优化，并在厂内工艺流程的基础上制备了多个样品，进行了性能测试和分析。目前已经获得了以下几方面的研究成果： （1）应变SOI-LDMOS器件在2-4GHz频段实现了高效大功率输出，从而实现了较高的频段空间利用率； （2）Double-recessed SOI-LDMOS器件在1-2GHz频段实现了良好的线性度，S参数和功率增益等指标表现出色； （3）SiC-DE LDMOS器件在S波段频段实现了高效大功率输出，表现出低失真，高稳定性等优点。 4. 研究展望 基于已有的成果，在接下来的研究中，我们将进一步探索和优化各种器件结构，在不同的频段和功率需求下，提高器件功率和效率，并应用于实际的卫星通信、雷达等高频应用领域，为推动我国高频器件技术的发展做出更大的贡献。