多芯片并联IGBT模块老化特征参量甄选研究.pdfVIP

2022 年 7 月 电 工 技 术 学 报 Vol.37 No. 13 第 37 卷第 13 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Jul. 2022 DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210792 多芯片并联 IGBT 模块老化特征参量 甄选研究 丁雪妮 陈民铀 赖 伟 罗 丹 魏云海 （输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室（重庆大学） 重庆 400044 ） 摘要 多芯片并联的绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）是大容量电力电子装备的核心器件，其运 行可靠性受到业界的广泛关注。甄选能表征多芯片并联IGBT 模块老化状态的特征参量对系统主 动运维和可靠性提升十分重要。该文以英飞凌 1.7kV 多芯片并联封装IGBT 模块为研究对象，对 比分析芯片焊料层老化和键合线脱落对