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2022 年 9 月 电 工 技 术 学 报 Vol.37 No. 17 第 37 卷第 17 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Sep. 2022 DOI:10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.211068 基于开关瞬态反馈的 SiC MOSFET 有源驱动电路 刘 平 陈梓健 苗轶如 杨江涛 李 伟 （湖南大学电气与信息工程学院 长沙 410006 ） 摘要 受内部寄生参数与结电容的影响，碳化硅（SiC ）功率器件在高速开关过程中存在极大 的电流电压过冲与高频开关振荡，严重影响了SiC 基变换器的运行可靠性。因此，该文首先对SiC MOSFET 开关特性进行深入分析，揭示栅极电流与电流电压过冲的数学