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本发明涉及电子器件技术领域，且公开了一种将多晶硅顶角圆润化的处理方法，包括以下步骤：S1、在外延片表面生长一层多晶硅；S2、涂胶光刻，形成图形；S3、刻蚀多晶硅，去除光刻胶；S4、重新涂胶光刻，控制光刻胶形貌及厚度；S5、各向同性刻蚀，将光刻胶刻蚀干净；本发明中，通过改进光刻胶处理工艺，改进刻蚀工艺，将多晶硅栅的顶角圆润化，从而避免电场集中问题，提高器件可靠性，另外，该方法亦可用在其它需要顶角圆润化处理的材料上。刻蚀方法相对简单，仅需增加一步光刻；将顶角变为圆角；为隔离层氧化膜的进一步减薄提供保
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779431 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310982020.2
(22)申请日 2023.08.07
(71)申请人 杭州谱析光晶半导体科技有限公司
地
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