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本发明公开了一种磷化铟E/D多功能芯片，包括衬底、外延结构、栅极形貌和金属层；外延结构设于衬底上，自下而上依次包括缓冲层、沟道层、隔离层、掺杂层、势垒层、InP复合势垒层和帽层；其中，InP复合势垒层作为栅极肖特基结接触层；衬底为半绝缘磷化铟衬底；栅极形貌为“T”型栅，设于外延结构上并埋入外延结构一定深度；金属层覆盖栅极形貌。本发明制备方法包括步骤：准备衬底及外延结构，并完成隔离及源漏欧姆接触等前置工艺；完成增强型晶体管制备并生长钝化介质，同时完成Pt埋栅工艺热处理；完成耗尽型晶体管制备并生长钝
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779672 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310997173.4 H01L 21/335 (2006.01)
(22)申请日 2023.08
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