2014华师电子电路基础在线作业要点.docxVIP

第 1 题 当 PN 结外加反向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层变宽。 大 于 B. 小 于 C. 等 于 D.不确定 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：0.0 第 2 题 影响放大器高频特性的原因是（ ）。A.极间耦合电容 发射极旁路电容C.三极管结电容 D.温度 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 3 题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ ）。A.大 B..小 相等 无法判定 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 4 题 在本征半导体中掺入 3 价元素就成为（ ）型半导体。 A.P 型半导体 B.N 型半导体C.PN 结 D.纯净半导体 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：0.0 第 5 题 测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为12.2V、12V、0V, 则三极管的三个电极分别是（ ）。 A.(E、B、C) B.(C、B、E) C.(B、C、E) D.(B、E、C) 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 6 题 测得 NPN 型三极管三个电极的电位分别为 U =3.3V，U =3.7V， C B U =3V，则该管工作在（ ） E A.放大区B.截止区C.饱和区D.击穿区 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 7 题 在放大电路中,测得三极管三个电极电位分别为 3.2V、3V、6V， 则该管属于（ ） 锗 NPN 型 锗 PNP 型 硅 NPN 型 硅 PNP 型 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 8 题 图示电路是（ ）电路。 A.微分电路B.积分电路C.指数电路D.对数电路 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 9 题 在固定偏置放大电路中，当R 、R  的参数分别为（ ）时，该电路 C B 的静态工作点处在放大区。设三极管的 β=100。 A.5.6kΩ、10kΩ B.5.6kΩ、510kΩ C.5.6kΩ、10MΩ D.100kΩ、1MΩ 您的答案：B 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 10 题 锗二极管的死区电压是（ ）。 A.0.1~0.2V B.0.5V C.0.7V D.0.6V 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 11 题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ） A.晶体缺陷B.温度 C.杂质浓度D.掺杂工艺 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 12 题 N 型半导体可以在纯净半导体中掺入( )价元素实现。 A.3 B.4 C.5 D.6 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 13 题 测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( ) 放大状态B.截止状态C.饱和状态D.击穿状态 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：0.0 第 14 题 测某放大电路中三极管各极电位分别是 0 V、-6V、0.2V，则三 极管的三个电极分别是（ ）。 A.(E、C、B) B.(C、B、E) C.(B、C、E) D.(B、E、C) 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 15 题 影响多级放大器低频特性的原因是（ ）。A.极间耦合电容 三极管放大倍数C.三极管结电容 D.温度 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 16 题 在放大电路中测得三极管三个电极的电位分别为 6V、11.8V、12V， 则这只三极管属于（ ） 硅 PNP 型 硅 NPN 型 锗 PNP 型 锗 NPN 型 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 17 题 PN 结具有（ ）导电特性。 A. 双 向 B. 单 向 C.不确定 您的答案：B 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 18 题 基本微分电路的电容器接在运放电路的（ ）。 A.反向输入端B.同向输入端 C.反向端与输出端之间D.输出端 您的答案：C 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 19 题 当 PN 结外加正向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层变窄。 A. 大 于 B. 小 于 C. 等 于 D.不确定 您的答案：A 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 20 题 半导体中的少数载流子产生的原因是( ) A.外电场B.内电场C. 掺 杂 D.热激发 您的答案：D 题目分数：2.0 此题得分：2.0 第 21 题 测得放大电路中某三极管各极电位分别是 2V、6V、2.7V，则三极 管的三个电极分别是（ ）。 A.（B、C、E） B.（C、B、E） C.（E、C、B） D.（B、E、C） 您的答案：B 题目分数：2.0 此题得分：0.0 第 22 题 PNP 型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位关系为 （ ） A.UC