;01;;;02;;;2.1 概述;2.1 概述;;;;2.1 概述;;2.2 电子在能带之间的跃迁几率;2.2 电子在能带之间的跃迁几率;2.2 电子在能带之间的跃迁几率;;;;2.4重掺杂时的带-带跃迁;03;3.1 光子密度分布与能量分布;3.1 光子密度分布与能量分布;3.1 光子密度分布与能量分布;;3.1 光子密度分布与能量分布;04;;;05;;;;5.1净的受激发射速率和半导体激光器粒子数反转;;;现在,我们就可和前面一样,只需将已经考虑了一个能 量范围内的跃迁几率B?(E。,hv)p。(E。)V代替式(1.5-2)和式(1.5-3)中的B?? 和B?, 再对整个 E.积分,就可得出相应向上和向下总的跃迁速率,两者之差即为净的总跃迁速率,表示为
式中p。(E。)表示p。为E。的函数、P,(E。-hv)表示p,为E,(=E。 -hv)的函数。式(1.5-18)可 简单表示为
r(hv)=P(hv)W净(hv)
式中,W(hv)代表式(1.5-18)中的积分值。对于上述存在一个参与跃迁能量范围的情况下, 同样可用价带能量E,来表示单位能量间隔的跃迁几率,即B? (E,,hv)p,(E,)V。此时p. 以 E.=E,+hv 为函数。故还可将系统净的受激发射跃迁速率写为对E,积分的表示式:
=P(hv)W净(hv)
显然,可以得到和前面同样的受激发射条件,即f.f。;;;;5.4 净的受激吸收速率与吸收系数;06;6.1自发辐射复合速率;6.1自发辐射复合速率;6.1自发辐射复合速率;6.1自发辐射复合速率;;6.2 俄歇(Auger)复合;6.2 俄歇(Auger)复合;6.2 俄歇(Auger)复合;;07;7.1 增益系数与电流密度的关系;7.1 增益系数与电流密度的关系;;;01;;;;1.1 pN异型异质结;;;;;;;;1.3渐变异质结;02;;;;2.3异质结在光电二极管探测器中的应用;03;;;3.1异质结中的晶格匹配;;;;;3.1异质结中的晶格匹配;04;;;;4.1从激射波长出发来选择半导体激光器的材料;;;;4.2 从晶格匹配来考虑异质结激光器材料;;;;;05;;;;;;;;;01;;;;;;;;;1.2 光学常数与电学常数之间的关系;1.2 光学常数与电学常数之间的关系;1.2 光学常数与电学常数之间的关系;;;;02;;;;;;;;2.1平板介质波导的波动光学分析方法;2.1平板介质波导的波动光学分析方法;2.1平板介质波导的波动光学分析方法;2.1平板介质波导的波动光学分析方法;;;;;;03;;;;3.1 矩形介质波导;3.1 矩形介质波导;;;;01;;;;02;;;;;03;;;;;;;;;04;;;;;;;05;;;;;;5.2增益波导的数学分析;;;;;5.4侧向折射率分布对增益波导的影响;06;;;;;;;07;;;;;;7.2 耦合波方程;;;;;;;;01;;;;;;;;02;;;;;;03;;;;;;;;04;;;;;4.2 影响纵模谱的因素;;4.2 影响纵模谱的因素;;;4.3 激光器的单纵模工作条件;;;;4.4“空间烧洞”效应对单模功率的限制;;4.5 温度对模谱的影响;;;4.6 单纵模激光器;05;;;;5.1肖洛-汤斯(Schawlow-Townes)线宽Avs;;;;5.2 半导体激光器的线宽;06;;;;6.2 速率方程;;6.2 速率方程;6.3 延迟时间;;;6.4 半导体激光器的直接调制;6.4 半导体激光器的直接调制;07;;;;;;;;;;;01;;;;6.1概述;02;;2.1量子阱中的电子波函数和能量分布;;;2.2量子阱中电子的态密度和增益;;;;;;2.3 量子阱中的激子性质;03;;;;;;3.2 单量子阱(SQW)半导体激光器;;;;04;;4.1 量子线和量子点基本理论;4.1 量子线和量子点基本理论;;;;;4.2 量子线和量子点制备方法;;;;4.3量子点的定位生长;;;01;;;;;;;;02;2.1半导体光放大器的增益特性;;;;增益饱和与增益压缩;增益饱和与增益压缩;增益饱和与增益压缩;2.1半导体光放大器的增益特性;;;;;;2.3半导体光放大器的耦合特性;03;;3.1半导体光放大器在光纤通信传输网上的应用;;;3.1半导体光放大器在光纤通信传输网上的应用;3.1半导体光放大器在光纤通信传输网上的应用;;;;3.2半导体光放大器在全光信号处理中的应用;3.2半导体光放大器在全光信号处理中的应用;3.2半导体光放大器在全光信号处理中的应用;;;01; ; ; ; ; ; ; ; ;;;;02;;;;2.1
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