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磁控溅射法制备Cox薄膜的工艺及性能研究的中期报告 磁控溅射法是一种常用的制备薄膜材料的方法，能够制备出高质量、均匀性良好的薄膜。本文旨在介绍采用磁控溅射法制备Cox薄膜的工艺及性能研究的中期进展情况。 一、制备工艺 1.实验材料 本实验采用的靶材为Co50Cr50，基板选用K9玻璃衬底，前处理采用机械研磨和超声波清洗。 2.溅射条件 实验采用的溅射条件如下：工作气压为5×10-3Pa，靶材距离基板的距离为6cm，溅射功率为100W，溅射时间为30min。 3.制备流程 （1）机械研磨基板：先使用1200号的砂纸轻轻研磨基板表面，再使用2000号的砂纸磨光基板表面。 （2）超声波清洗基板：将基板放入超声波清洗器中，用去离子水清洗10min。 （3）放置靶材：将Co50Cr50靶材安装进溅射室，靶材与基板的距离调整到6cm。 （4）抽真空：开始抽真空，将气压降至5×10-3Pa。 （5）溅射：打开溅射功率，开始溅射过程，溅射时间为30min。 （6）退火处理：将薄膜样品放入炉中进行退火处理，温度为500℃，退火时间为2小时。 二、性能测试 1.表面形貌 采用原子力显微镜（AFM）测试样品表面形貌，结果显示制备的Cox薄膜表面平整度好，表面RMS粗糙度为0.281nm。 2.薄膜结构 采用X射线衍射仪（XRD）测试样品结构，结果显示Cox薄膜为fcc结构，XRD图谱中仅有(111)晶面峰。 3.磁性能 采用霍尔效应测试样品的磁性能，结果显示Cox薄膜的饱和磁感应强度为1.345T，矫顽力为62.13A/m，剩磁强度为0.425T。 四、结论 通过磁控溅射法制备了Cox薄膜，并对其性能进行了表征。结果表明，Cox薄膜表面平整度好，表面RMS粗糙度为0.281nm，为fcc结构，XRD图谱中仅有(111)晶面峰，饱和磁感应强度为1.345T，矫顽力为62.13A/m，剩磁强度为0.425T。