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本发明提供了一种CIS器件，包括多行和多列像素单元，相邻两个像素单元之间均通过深沟槽隔离结构隔开；相邻两行的像素单元的横截面面积的大小不相同，或者相邻两列的像素单元的横截面面积的大小不相同。面积较大的像素单元对应的衬底深处产生的电子不会溢出到相邻的像素单元内，面积较小的像素单元对应的衬底深处产生的电子即便溢出到相邻的像素单元内，由于相邻的像素单元的面积较大，不会继续向面积较大的像素单元内溢出。因此，本发明减少了衬底深处产生的电子进入相邻像素单元的几率，从而减少了信号串扰，进一步减少了转换的电信号
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116799021 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310944407.9
(22)申请日 2023.07.28
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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