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本发明公开了一种晶圆级扇出封装方法及封装结构，该方法包括以下步骤：先在功能芯片正面形成氧化硅保护层，在功能芯片的pad处留开口，电镀形成导电柱，再将功能芯片研磨至指定硅厚，背面贴上DAF膜，或者，先在功能芯片正面形成布线层Ⅱ，再在背面贴上DAF膜；随后将功能芯片切割成单颗芯片，贴入带有凹槽的晶圆，再在晶圆表面形成布线层Ⅰ，再形成锡球。本发明中，通过在功能芯片表面形成氧化硅保护层可保护芯片功能层不受金属重布线层影响；通过在功能芯片表面形成多层钝化层与重布线层，将部分重布线层的形成提前放在芯片上生成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116798876 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310771661.3
(22)申请日 2023.06.28
(71)申请人 华天科技（昆山）电子有限公司
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