一种硅外延片的生长方法.pdfVIP

下载本文档

4
0
约8.28千字
约 7页
2023-09-23 发布于四川
举报
版权申诉

一种硅外延片的生长方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明一种硅外延片的生长方法，涉及半导体材料技术领域，首先将经过多道加工工序处理后的单晶硅在650℃以下进行去除单晶硅片表面的自然氧化膜，当自然氧化膜去除后,在单晶硅片的表面上通过使用一氧化二氮分别形成氧原子和单晶硅，其中，氧原子的形成是通过将所述单晶硅晶片暴露于含有所述一氧化二氮的气氛中来进行的，所述单晶硅则在500℃以上且700℃以下的温度下外延生长而形成，当进行多次氧原子和单晶硅的形成工序,交替地形成多个氧原子层和单晶硅层，最终形成硅外延层。通过本发明减少了晶片因局部热损失,从而导致晶片的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116798853 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310584101.7 (22)申请日 2023.05.23 (71)申请人上海超硅半导体股份有限公司地址