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射频半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-09-23 发布于四川
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射频半导体器件及其制造方法.pdf

    本申请公开了一种射频半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。射频半导体器件可包括介电材料层，介电材料层的材料包括氮化铝、氮化硅和氧化硅中的至少一种；设置在介电材料层一侧的外延材料层；设置在外延材料层远离介电材料层一侧的有源层。根据本申请实施例，有利于改善射频半导体器件的热阻特性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116799055 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310984543.0 (22)申请日 2023.08.07 (71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司 地址

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