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innioxp结构阻变存储器的制备与性能增强 随着集成电路存储容量技术向纳米规模的发展，传统的非交叉存储容量越来越接近其物理限制。由于过度衬底氧化层造成的电压漏越来越严重，严重影响了存储组件的性能和其他参数。因此，有许多新的非传输存储工具，如fram、磁存储器（mram）、阵列存储器（proam）和反演存储器（rram）。这两个新的非传输存储模块已经被广泛研究，如大坝坍塌存储，并且具有结构简单、体积小、维护时间长、清洁速度快、操作电压低、非损伤读写率好等优点。已在行业和学术界进行了广泛的研究，可以成为传统非交叉存储工具的替代品。 阻变存储器多为金属/介质层/金属(metal-insulator-metal,MIM)结构,介质层材料在不同的电压下会发生可逆的阻值变化,形成稳定的“高阻态”和“低阻态”.阻变存储器的“0”和“1”的切换正是基于这种快速可逆双稳的阻值转变完成的.目前,研究人员报道的具有阻值转变效应的介质层材料常见的有:过渡金属二元氧化物(如CuxO,ZrO2,Nb2O5,TiO2,NiO)和钙钛矿材料(如SrZrO3).在众多的具有阻变特性的材料中,NiOx材料的RRAM器件,因其具有组分简单、阻值窗口大等优点,成为众多材料中的研究热点,主要包括阻变机理的研究和性能改善的方法等. 用于RRAM器件的NiOx薄膜主要通过磁控溅射方法制备,通常有在含氧氛围的气氛中直接溅射N