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一种双栅ITZO薄膜晶体管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-09-23 发布于四川
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一种双栅ITZO薄膜晶体管及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种双栅ITZO薄膜晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域，解决了现有技术薄膜晶体管的高迁移率和高稳定性难以同时满足的问题。所述的晶体管自下而上包括依次叠加设置的背栅、背栅介质层、a‑ITZO层、顶栅介质层和顶栅；所述的a‑ITZO层的左端的上表面与顶栅介质层之间设置有源极层，所述的a‑ITZO层的右端的上表面与顶栅介质层之间设置有漏极层；所述的背栅介质层和顶栅介质层的材质均为氧化铝。本发明的背栅介质层和顶栅介质层材质均采用氧化铝，在上下两个栅极同时施加栅压的时候，载流子倾向于在沟道中

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116799046 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310250147.5 (22)申请日 2023.03.13 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 1

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