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本公开了一种半导体存储装置及其制作工艺，包括衬底、有源结构、浅沟渠隔离、以及多条字线。有源结构设置在衬底中，并且还包括第一有源区以及第二有源区。第一有源区包括多个有源区单元彼此平行并且沿着第一方向延伸，第二有源区设置在第一有源区外侧，环绕所有的有源区单元。浅沟渠隔离设置在衬底中，围绕有源结构。字线设置在衬底内，并与有源区单元交错。字线包括第一字线以及第二字线，部分的有源区单元的一端直接接触第二字线，另一端直接接触第二有源区。藉此，可获得较稳定的结构。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116801633 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310896188.1
(22)申请日 2021.06.24
(62)分案原申请数据
202110704388.3
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