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本发明公开了一种基于波矢调控提升AlGaN深紫外LED出光效率的器件结构及其制备方法。该器件包含：透光衬底、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层，电极接触层，反射层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层接触的电极，第二半导体层和电极接触层刻蚀有周期性或随机分布的槽孔，反射层嵌入在其中，所述嵌入在第二半导体层槽孔中的反射金属在深紫外光区域具有等离激元共振特性，结合特定厚度的介质层调节，该结构可实现对高Al组分AlGaN量子阱光子传播模式的调控，基于波矢调控显著提升TM和TE模式辐射光子的出光效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116799116 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310777338.7
(22)申请日 2023.06.28
(71)申请人 厦门大学
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