一种用于晶圆封装的植柱方法及金属纳米烧结体.pdfVIP

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2023-09-23 发布于四川
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一种用于晶圆封装的植柱方法及金属纳米烧结体.pdf

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本发明涉及一种用于晶圆封装的植柱方法及金属纳米烧结体；具体为在硅板上端面和下端面分别制备第一绝缘层；采用刻蚀工艺，对第一绝缘层进行刻蚀，使得绝缘层上形成多个间隔布设的刻蚀孔，向刻蚀孔内注入刻蚀液，使硅板上形成刻蚀槽；通过热氧化工艺在刻蚀孔内壁、刻蚀槽底部和侧壁上形成第二绝缘层；在第一绝缘层和第二绝缘层上制备牺牲层；在牺牲层上旋涂纳米金属浆料，并使得纳米金属浆料填充刻蚀槽和刻蚀孔，采用烧结工艺进行烧结，刻蚀槽和刻蚀孔形成金属探柱，牺牲层上形成导电层；清理牺牲层，分离出金属探柱和导电层，获得具有金属

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116798877 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310783169.8 H01L 23/488 (2006.01) (22)申请日 2023.06