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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种闪存器件字线多晶硅的制作方法。闪存器件字线多晶硅的制作方法包括以下步骤：在闪存器件的字线位置处沉积形成无掺杂多晶硅；对所述无掺杂多晶硅进行化学机械研磨，使得所述无掺杂多晶硅的表面平坦化；向平坦化后的所述无掺杂多晶硅的上表面注入7E15atom/cm2剂量的砷离子，使得所述无掺杂多晶硅的上表面形成非晶化层；通过快速热退火工艺，在所述非晶化层上形成第一氧化层；通过热氧化工艺，在所述第一氧化层上沉积形成第二氧化层。本申请提供的闪存器件字线多晶硅的制作方
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116798873 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310793951.8
(22)申请日 2023.06.30
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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