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本实用新型涉及光子光电子器件设计、制作领域，尤其涉及一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器，其特征在于，高阶模选择抑制型垂直面发射激光器包括由下至上依次设置的N电极层、衬底、下布拉格反射层和发光单元圆台，发光单元圆台随机均匀分布于下布拉格反射层上构成随机单元阵列，相邻两发光单元圆台之间设有间隙；发光单元圆台包括由下至上依次设置的有源区、氧化限制层、上布拉格反射层、接触层、透明介质层，透明介质层具有不同刻蚀图案形成了高阶模选择抑制结构，高阶模选择抑制结构刻蚀图案的刻蚀深度满足四分之一波长相位相消条件
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210517326 U
(45)授权公告日
2020.05.12
(21)申请号 20192
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