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- 2023-09-27 发布于四川
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本发明提供一种半导体装置和电源转换装置，该半导体装置具有包含化学镀Ni层的电极，且化学镀Ni层中裂纹的产生少，可靠性高。半导体装置的特征在于，具备半导体元件和形成于前述半导体元件的第一表面的第一电极，前述第一电极为包含第一化学镀Ni层的层叠结构，前述第一化学镀Ni层含有Ni(镍)和P(磷)作为组成，前述第一化学镀Ni层的P(磷)浓度为2.5wt％以上6wt％以下，且前述第一化学镀Ni层中的Ni3P的结晶化率为0％以上20％以下。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110867485 A
(43)申请公布日
2020.03.06
(21)申请号 20191
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