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蒙脱土的两步插层法制备及表征 梦露土是两层结构的硅酸盐。每个晶体层由两层硅氧化二甲酯和一层铝氧酸八面体组成，四面体和八面体通过共氧原子连接。这种独特的层状结构赋予蒙脱土一些特殊的性能。但是蒙脱土层间通常吸附一些阳离子 (如Na+、Ca2+、Mg2+等) , 不利于有机分子的插层。这需要用交换反应将这些阳离子置换出来, 改变蒙脱土的极性并使蒙脱土层间距变大, 更利于有机物的插入, 形成新型的复合材料。 关于采用插层蒙脱土制备复合材料, 相关的报道比较多。李凤起采用十六烷基三甲基溴化铵和己内酰胺对蒙脱土进行改性, 并优化对比选出与尼龙具有最佳相容性的配比。LIU等在环氧/粘土纳米复合材料中用极性低的十八烷基胺表面改性剂处理粘土可得到剥离结构, 而用极性高的十八烷基三甲基氯化铵表面改性剂处理的粘土得到插层结构。林一凡等利用阳离子表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵 (CTAC) 和阴离子表面活性剂十二烷基磺酸钠 (SDS) 对蒙脱土表面进行改性, 并讨论了反应温度、p H值对蒙脱土插层效果的影响。张径等采用二次插层法处理蒙脱土, 并对比了一次插层和二次插层的插层效果。本文先用十八烷基胺对蒙脱土进行改性, 再用缓蚀剂8-羟基喹啉处理, 将8-羟基喹啉处理后的蒙脱土加到环氧涂层中, 研究其对环氧涂层耐腐蚀性能的影响。 1 实验方法 1.1 蒙脱土的制备 蒙脱土的有机化改性:在烧杯中加入一定量的蒙脱土和2000 m L去离子水, 用磁力搅拌器搅拌24 h得到A溶液;另取250 m L烧杯加入适量的十八烷基胺, 在搅拌过程中加入HCl, 调解溶液的p H值至3-4, 用磁力搅拌搅拌30 min使之充分溶解, 得到B溶液;24 h后缓慢地把B溶液加入到激烈搅拌的A溶液中, 80℃反应24 h。对其多次离心过滤直至滤出液用0.1 mol·L-1Ag NO3检验无白色沉淀为止。将产物在60℃干燥, 研磨后得到改性蒙脱土。 蒙脱土有机化改性后的处理:把改性蒙脱土与混合溶液 (丙酮∶水=1∶1) 按质量比1∶10的比例溶解, 高速分散10 min, 超声10 min。接着把缓蚀剂与改性蒙脱土按1∶10的质量比混合, 抽真空并保持5 h, 然后用去离子水洗涤、离心, 最后用乙醇清洗, 干燥后得到二次插层蒙脱土。 1.2 球磨后的涂料基料和固化剂的配比 将用不同方法处理获得的蒙脱土与环氧树脂 (固体含量75%) 、混合溶剂 (二甲苯与正丁醇质量比为8∶2) (工业级) 、分散剂BYK110 (固体含量52%) 、流平剂BYK354 (固体含量1%) 、聚酰胺蜡 (固体含量20%) 一起加到球磨罐中, 球磨4 h后得到所需涂料的基料。固化剂为聚酰胺, 型号为8115 (固体含量50%) , 基料与固化剂配比为质量比100∶36。 以镀锌板 (150 mm×75 mm×3 mm) 为基体, 丙酮除油, 无水乙醇除水。采用空气喷涂方法制备涂层, 喷涂压力为0.4-0.7 MPa, 在室温放置7 d, 得到二次插层蒙脱土/环氧复合涂层。空气压缩机型号为7A-0.85/7, 喷枪型号为W-71。 1.3 电化学性能测试 用型号为DMAX/2400 X射线衍射仪测定X射线衍射谱 (XRD) 图谱, Cu靶Kα放射源, 管电压40 k V, 管电流100 m A, 测试范围2θ=1°~20°。用型号BRUKER IFS55红外光谱仪 (IR) 测定红外光谱, 用KBr压片法制备样品, 扫描范围400-4000 cm-1。用273A电化学综合测试系统测试电化学阻抗谱 (EIS) 。在开路电位下进行测量, 测量频率范围为100 k Hz-10 m Hz, 测量信号为幅值10 m V的正弦波。电解池采用三电极体系, 辅助电极为铂电极, 参比电极为饱和甘汞电极 (SCE) , 涂层/基体试样为工作电极, 工作电极的有效工作面积约为12.56 cm2, 腐蚀介质为3.5%Na Cl (质量百分比) 溶液。用ZSimp Win阻抗分析软件处理与分析电化学阻抗数据。 2 结果与讨论 2.1 蒙脱土层中十二烷基胺的合成 十八烷基胺改性以及8-羟基喹啉处理蒙脱土过程, 如图1所示。在p H值为3-4酸性环境下十八烷基胺先质子化, 使胺基转变成铵离子, 然后通过离子置换反应进入蒙脱土层间。这一方面增加其层间距, 另一方面使其向亲油性转变, 从而有利于有机缓蚀剂8-羟基喹啉进入到蒙脱土层间, 以制备出性能更优异的二次插层蒙脱土。 2.2 蒙脱土层间距 蒙脱土原土 (MMT) 、改性蒙脱土以及二次插层蒙脱土试样的XRD图谱, 如图2所示。可以看出, 改性蒙脱土和二次插层蒙脱土衍射角均不同程度向小角度移动, 层间距明显增大。 使用Bragg方程2dsinθ=nλ (θ为半衍射角, λ为X射线波长,