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一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器.pdfVIP

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  • 2023-09-28 发布于四川
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一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器.pdf

    本实用新型提出一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器主要包括圆柱型硅毛发体、第一隧道磁阻传感器、第二隧道磁阻传感器、绝缘层和底层基座组成；其中，绝缘层位于底层基座的正上方，圆柱型硅毛发体安装在绝缘层的中心位置，第一隧道磁阻传感器和第二隧道磁阻传感器安装在绝缘层的两侧并关于圆柱型硅毛发体对称分布，圆柱型硅毛发体的顶部包含刻蚀的电磁激励线圈用于产生磁场。采用高灵敏度的隧道磁阻效应进行流速信号检测，具有饱和磁场低、工作磁场小、灵敏度高、温度系数小、测量带宽大等优点，同时提出的基于隧道磁阻效应的ME

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210572369 U (45)授权公告日 2020.05.19 (21)申请号 20192

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