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- 2023-09-28 发布于四川
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本实用新型公开了一种降低能耗的肖特基二极管芯片，涉及一种半导体器件，包括硅片衬底，硅片衬底的底部设有镀硼层，硅片衬底顶部设有镀磷层，硅片表面设有掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，在半导体硅片N+衬底上设置有N‑外延层；在N‑外延层上刻蚀形成硅沟槽，在硅沟槽内通过高温氧化与扩散方式将杂质硼扩散至一定深度形成P+有源区，在P+有源区表面通过高温氧化形成一定厚度的氧化层。本实用新型通过切割加腐蚀的方式在芯片上划出V型槽，增加了芯片的有效接触面积，降低了二极管的功率，从而降低了芯片的能耗，更加节能环保。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210575961 U
(45)授权公告日
2020.05.19
(21)申请号 20192
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