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CCMMOOSS集集成成电电路路设设计计基基础础 －－MMOOSS器器件件 MMOOSS器器件件 NMOS管的简化结构 制作在P型衬底上(P-Substrate, 也称bulk或body,为了区别 源极 S，衬底以B来表示)，两个重掺杂N区形成源区和漏区，重掺 杂多晶硅区(Poly)作为栅极，一层薄SiO2绝缘层作为栅极与衬底 的隔离。 NMOS管的有效作用就发生在栅氧下的衬底表面——导电沟道 (Channel)上。 由 源漏结的横向扩散，栅源和栅漏有一重叠长度为LD，所以 导电沟道有效长度(Leff)将小 版图中所画的导电沟道总长度。 我们将用L表示导电沟道有效总长度Leff，W表示沟道宽度。 宽长比(W/L)和氧化层厚度tox这两个参数对MOS管的性能非常 重要。而MOS技术发展中的主要推动力就是在保证电性能参数 不下降的前提下，一代一代地缩小沟道长度L和氧化层厚度tox。 衬底的连接 为了使MOS管的电流只在导电沟道中沿表面流动而不产生垂直 于衬底的额外电流 源区、漏区以及沟道和衬底间必须形成反 偏的PN结隔离 因此 NMOS管的衬底B必须接到系统的最低 电位点(例如 “地”) 而PMOS管的衬底B必须要接到系统的最 高电位点(例如正电源U )。衬底的连接如图(a)、(b)所示。 DD N阱及PMOS 在互补型CMOS管中，在同一衬底上制作NMOS管和PMOS管， 因此必须为PMOS管做一个称 为 “阱(Well)”的“局部衬底”。 MOS管常用符号 MMOOSS管管的的电电流流电电压压特特性性 NMOS管和PMOS管工作在恒流区的转移特性，其中U (U ) THN THP 为开启电压， 称阈值电压(ThresholdVoltage)。在半导体物理 学中，NMOS的U 定义为界面反型层的电子浓度等于P型衬底 THN 的多子浓度时的栅极电压。 U 与材料、掺杂浓度、栅氧化层电容等诸多因素有关。在器 THN 件制造 程中，还可以通 向沟道区注入杂质，从而改变氧化 层表面附近的衬底掺杂浓度来控制阈值电压的大小。工作在恒 流区的MOS管漏极电流与栅压成平方律关系。 NNMMOOSS的的输输出出特特性性 栅极电压超过阈值电压U 后，开始出现电流且栅压u 越大， THN GS 漏极电流也越大的现象，体现了栅压 漏极电流有明显的控制作 用。漏极电压U 漏极电流I的控制作用基本上分两段，即线性 DS D 区(Linear)和饱和区(Saturation)。为了不和双极型晶体管的饱和 混淆，我们将MOS管的饱和区称为恒流区，以表述U 增大而电 DS 流I基本恒定的特性。 D 线性区和恒流区是以预夹断点的连线为分界线的(图虚线所示)。 在栅压U 一定的情况下，随着U 从小变大，沟道将发生如图所 GS DS 示的变化。 若UU ==UU --UU 则沟道在漏区边界上被夹断，因此该点电压称为 DDSS GGSS TTHH 预夹断电压。 UU UU --UU 管子工作 DDSS GGSS TTHH 在线性区，此时UU 增 DDSS 大，ID有明 的增大。