4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究的中期报告.docxVIP

4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究的中期报告 本研究旨在探讨4H-SiC紫外光电探测器的光电特性随温度变化的趋势和规律，为其在实际应用中的温度调节和优化提供参考。 首先，我们使用CVD法在n型4H-SiC上生长了330 nm厚的AlN薄膜，并通过电子束蒸发技术制备了金属电极。然后，对探测器的光电性能进行了测试，对测试结果进行了统计分析。 在室温下，4H-SiC紫外光电探测器的响应电流为5.87 nA，光暗比为2.59。当温度升高至100℃时，响应电流略有增加，为6.13 nA，光暗比略有下降，为2.48。随着温度的升高，响应电流逐渐增加，但光暗比逐渐下降。当温度升高至300℃时，响应电流为9.71 nA，光暗比为1.98。 从以上结果可以看出，随着温度的升高，4H-SiC紫外光电探测器的响应电流增加，但光暗比下降。这是由于随着温度的升高，载流子浓度和迁移率都会增加，导致电流增加。同时，光暗比下降可能是由于随着温度的升高，暗电流也会增加，影响光暗比的稳定性。 总的来说，探测器的光电特性随温度变化的趋势和规律初步了解，但仍需进一步深入研究和分析，以优化其在实际应用中的表现。