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ZnO基半导体p型、稀磁掺杂研究与纳米锂离子电池原位透射电镜分析的中期报告
本文介绍了一项关于ZnO基半导体材料的研究,主要包括p型和稀磁掺杂的研究,以及纳米锂离子电池的原位透射电镜分析。
研究表明,在ZnO材料中引入适当的杂质可以使其具有p型半导体性质。本文采用了氧化铜(CuO)作为p型掺杂剂,通过热处理和化学气相沉积方法掺杂到ZnO中。实验结果表明,CuO掺杂可以显著提高ZnO的p型半导体性质,且掺杂浓度的增加可以进一步提高其p型导电性。
本文还研究了稀磁掺杂对ZnO的影响。通过掺杂稀磁元素(如Mn和Co),可以显著调节ZnO的磁性和光电性质。实验结果显示,稀磁掺杂可以显著提高ZnO的磁性,并可以通过调节掺杂浓度来控制其光吸收和光致发光性质。
最后,本文还进行了纳米锂离子电池的原位透射电镜分析。实验结果显示,在电池充放电过程中,ZnO颗粒呈现出明显的体积涨缩现象,并且电子束较强的区域会导致颗粒表面的结构破损和析出物的沉积,进一步影响电池的循环性能。
总之,本文对ZnO基半导体材料的p型、稀磁掺杂和纳米锂离子电池性能的研究提供了一定的理论和实验基础,并为其在光电子学、能源储存等领域的应用提供了一些新的思路和方向。
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