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2. N型半导体和P型半导体 原理图 P 自由电子 结构图 磷原子 正离子 P+ 在硅或锗中掺 入少量的五价元 素，如磷或砷、 锑，则形成N型 半导体。 多余价电子 少子 多子 正离子 在N型半导体中，电子是多子，空穴是少子 第1章 上页 下页 N型半导体 翻页 返回 本文档共98页；当前第60页；编辑于星期二\17点21分 P型半导体 在硅或锗中 掺入三价元素， 如硼或铝、镓， 则形成P型半导 体。 原理图 B B- 硼原子 负离子 空穴 填补空位 结构图 在P型半导体中，空穴是多子，电子是少子。 多子 少子 负离子 第1章 上页 下页 翻页 返回 本文档共98页；当前第61页；编辑于星期二\17点21分 用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上，形成P型半导体区域和N型半导体区域，在这两个区域的交界处就形成一个PN结 。 P 区 N 区 P区的空穴向N区扩散并与电子复合 N区的电子向P区扩散并与空穴复合 空间电荷区 内电场方向 3. PN结的形成 第1章 上页 下页 翻页 返回 本文档共98页；当前第62页；编辑于星期二\17点21分 空间电荷区 内电场方向 在一定条件下，多子扩散和少子漂移达到动态平衡。 P区 N区 多子扩散 少子漂移 第1章 上页 下页 翻页 返回 本文档共98页；当前第63页；编辑于星期二\17点21分