大直径区熔硅单晶生长设备电磁场及温度场的数值模拟与实验研究的中期报告.docxVIP

大直径区熔硅单晶生长设备电磁场及温度场的数值模拟与实验研究的中期报告 本研究的中期报告主要包括两个部分：数值模拟和实验研究。 一、数值模拟 针对大直径区熔硅单晶生长设备中的电磁场和温度场，采用有限元方法进行了数值模拟。根据设备结构和工作原理，构建了电磁场和热传输的耦合模型，并使用COMSOL软件进行模拟分析。 电磁场模拟结果表明，高频电源的电磁场主要集中在感应线圈和熔池之间的空气间隙中，熔池内部的电磁场强度较弱。随着高频电流的增加，感应线圈内部的电场强度会增加，但熔池内部的电场强度的变化不明显。 温度场模拟结果表明，熔池内部的温度分布非常不均匀，表现为熔池底部的温度较高，顶部的温度较低。这是由于熔池底部的辐射加热和热对流导致的。同时，在感应线圈的辐射加热下，熔池表面的温度也会有所升高。 二、实验研究 在模拟分析的基础上，设计了相应的实验方案，并进行了实验研究。为了验证模拟结果的可靠性，采用了多种实验手段进行了检测和对比。 实验结果表明，模拟和实验的结果较为一致，验证了模拟结果的准确性。同时，发现在实际生长过程中，由于生长速度和晶体尺寸的变化，熔池内部的温度会产生更为复杂的分布。 本中期报告的研究成果为熔硅单晶生长设备的优化设计和晶体的高质量生长提供了重要的理论依据和实验支撑。